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雙色探測(cè)器

雙色探測(cè)器

更新時(shí)間：2023-08-18

簡(jiǎn)要描述：

雙色探測(cè)器每個(gè)探測(cè)器都有不同的光譜響應(yīng)率，裝在一個(gè)類(lèi)似三明治結(jié)構(gòu)的裝置里。這樣的幾何結(jié)構(gòu)，頂部不僅有正常工作特性的探測(cè)器，還可作為一個(gè)長(zhǎng)波帶通濾光片通過(guò)底部的探測(cè)器。所涉及的材料有：硅和硅、銦鎵砷和銦鎵砷、紫外硅和銦鎵砷、硅和銦鎵砷、紫外硅和擴(kuò)展型銦鎵砷（有制冷型）、硅和鍺、紫外硅和鍺、硅和砷化銦、紫外硅和砷化銦、硅和硫化鉛（有制冷型）、紫外硅和硫化鉛（有制冷型）、硅和硒化鉛、紫外硅和硒化鉛。

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產(chǎn)品介紹：

雙色探測(cè)器簡(jiǎn)介

每個(gè)探測(cè)器都有不同的光譜響應(yīng)率，裝在一個(gè)類(lèi)似三明治結(jié)構(gòu)的裝置里。這樣的幾何結(jié)構(gòu)，頂部不僅有正常工作特性的探測(cè)器，還可作為一個(gè)長(zhǎng)波帶通濾光片通過(guò)底部的探測(cè)器。所涉及的材料有：硅和硅、銦鎵砷和銦鎵砷、紫外硅和銦鎵砷、硅和銦鎵砷、紫外硅和擴(kuò)展型銦鎵砷(有制冷型)、硅和鍺、紫外硅和鍺、硅和砷化銦、紫外硅和砷化銦、硅和硫化鉛（有制冷型）、紫外硅和硫化鉛（有制冷型）、硅和硒化鉛、紫外硅和硒化鉛。

產(chǎn)品包括室溫雙色、一級(jí)制冷雙色、二級(jí)制冷雙色

室溫雙色探測(cè)器室溫參數(shù)

type	Active Dia.(mm)	OperatingWavelength (um)	Shunt Resistanve (Ω) typ	Shunt Capacitance (pF),tpy	NEP	Responsivity @850nm (A/W)
LD-S / S -025	Si 2.5	0.3-1.0	200M min,500M	600	<10^-14@850nm	0.5@850nm
LD-S / S -025	Si 2.5	1.0-1.1	2G min,5G	500	<10^-14@1050nm	0.1@1050nm
LD-IGA/ IGA-020	InGaAs 2.0	0.9-1.7	10M min@0V	500	<5 x 10^-14@1.3nm	0.9@1300nm
LD-IGA/ IGA-020	InGaAs 2.0	1.7	10M min@0V	500	<1x10^-12@1.75nm	0.05@1.75nm
LD-S/IGA-025/020	Si 2.5	0.3-1.0	500M min@0V	200	<1x10^-14@850nm	0.6@850nm
LD-S/IGA-025/020	InGaAs 2.0	1.0-1.7	10M min@0V	400	<1x10^-13@1300nm	0.6@1300nm
LD-UVS/IGA-025/010	Si 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.6@850nm
LD-UVS/IGA-025/010	InGaAs 1.0	1.0-1.7	200M min@0V	90	<1.5x10^-14@1300nm	0.6@1300nm
LD-UVS/IGA-025/020	UVS 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.6@850nm
LD-UVS/IGA-025/020	InGaAs 2.0	1.0-1.7	10M min@0V	400	<1x10^-13@1300nm	0.6@1300nm
LD-S/IGA-050/030	Si 5	0.3-1.0	200M	1500	<1.5x10^-14	0.5@900nm
LD-S/IGA-050/030	InGaAs 3	1.0-1.7	5M	1000	<1.5x10^-13	0.6@1300nm
LD-UVS/IGA-050/030	Si 5	0.2-1.0	50M	1000	<3.0x10^-14	0.5@900nm
LD-UVS/IGA-050/030	InGaAs 3	1.0-1.7	5M	1000	<1.5x10^-13	0.6@1300nm
LD-S/IGA2.2-025/010	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin,0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55@850nm
LD-S/IGA2.2-025/010	Ex-InGaAs 1.0	1.2-2.6	>3k	300	<1x10^-11@2200nm	0.50@2200nm
LD-UVS/IGA2.2-025/010	UV Si 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.50@850nm
LD-UVS/IGA2.2-025/010	Ex-InGaAs 1.0	1.2-2.6	>3k	300	<1x10^-11@2200nm	0.50@2200nm
LD-S/G-025/020	Si 2.5	0.3-1.0	500M min@0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55@850nm
LD-S/G-025/020	Ge 2.0	1.0-1.7	90k min@0V	9000	<7x10^-13@1500nm	0.6@1500nm
LD-UVS/G-025/020	UVS 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.5@850nm
LD-UVS/G-025/020	Ge 2.0	1.0-1.7	90k min@0V	900	<7x10^-13@1500nm	0.6@1500nm
LD-S/G-050	Si 5	0.3-1.0	200M	1500	<1.5x10^-14	0.5@900nm
LD-S/G-050	Ge 5	1.0-1.8	5k	30000	<2.5x10^-12	0.6@1500nm
LD-UVS/G-050	UVSi 5	0.2-1.0	50M	1000	<3.0x10^-14	0.5@900nm
LD-UVS/G-050	Ge 3	1.0-1.8	15k	30000	<2.5x10^-12	0.6@1500nm
LD-S/IA-025/020	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin,0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55@850nm
LD-S/IA-025/020	InAs 2.0	1.0-3.4	>10	1200	<1x10^-10@3200nm	0.50@3200nm
LD-UVS/IA-025/020	UV Si 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.50@850nm
LD-UVS/IA-025/020	InAs 2.0	1.0-3.4	>10	1200	<1x10^-10@3200nm	0.50@3200nm
LD-S/PBS-025 /020	Si 2.5	0.3-1.0	500M min@0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55A/W@850nm
LD-S/PBS-025 /020	PBS 2.0	1.0-2.8	0.5-2.0M		<4x10^-12@2600nm	10⁵V/W@1500nm
LD-UVS/PBS-025/020	UVS 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.50A/W@850nm
LD-UVS/PBS-025/020	PBS 2.0	1.0-1.8	0.5-2.0M		<4x10^-12@2600nm	105V/W@2600nm
LD-S/PBS-025 /020	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin@0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55A/W@850nm
LD-S/PBS-025 /020	PBS 2.0	1.0-2.8	0.5-2.0M		<4x10^-12@2600nm	10⁵V/W@1500nm
LD-UVS/PBS-025/020	UVS 2.5	0.2-1.0	200M min@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.50A/W@850nm
LD-UVS/PBS-025/020	PBS 2.0	1.0-1.8	0.5-2.0M		<4x10^-12@2600nm	10⁵V/W@2600nm
LD-S/PBSE-025/020	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin@0V	400	<1x10^-14@850nm	0.55@850nm
LD-S/PBSE-025/020	PbSe 2.0	1.0-4.5	0.3-1.0M		<7x10^-11@4200nm	>2000V/W@4200nm
LD-UVS/PBSE-025/020	UV Si 2.5	0.2-1.0	200Mmin@0V	300	<1.5x10^-14@850nm	0.50A/W@850nm
LD-UVS/PBSE-025/020	PbSe 2.0	1.0-4.5	0.3-1.0M		<7x10^-11@4200nm	>2000V/W@4200nm
LD-S/PBSE-050	Si 5	0.3-1.0	200Mmin@0V	1500	<1.5x10^-14	0.55A/W@900nm
LD-S/PBSE-050	PbSe 5	1.0-4.5	0.2-1.0M		<5x10^-10@4200nm	>500V/W@4200nm
LD-UVS/PBSE-050	UVS 5	0.2-1.0	50M	1000	<3.0x10^-14	0.55A/W@800nm
LD-UVS/PBSE-050	PbSe 5	1.0-4.5	0.2-1.0M		<5x10^-10@4200nm	500V/W@4200nm
LD-S/IGA-010/010	Si 1.5*2	0.3-1.0	200/500	200	<1.0x10^-14@850nm	0.60@850nm
LD-S/IGA-010/010	InGaAs 1.0	1.0-1.7	100/200	100	<1.0x10^-14@1300nm	0.90@1300nm
LD-S/IGA-025/010	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin@0V	200	<1.0x10^-14@850nm	0.60@850nm
LD-S/IGA-025/010	InGaAs 1.0	1.0-1.7	100Mmin@0V	100	<2x10^-14@1300nm	0.60@1300nm
LD-S/IGA-025/030	Si 2.5	0.3-1.0	500Mmin@0V	200typ	<1.0x10^-14@850nm	0.60@850nm
LD-S/IGA-025/030	InGaAs 3.0	1.0-1.7	5Mmin@0V	400typ	<2x10^-14@1300nm	0.60@1300nm
LD-UVS/IGA-050/050	UVSi 5.0	0.2-1.0	50M	1000typ	<3.0x10^-14	0.50@900nm
LD-UVS/IGA-050/050	InGaAs 5.0	1.0-1.7	0.5M	1500typ	<2.0x10^-14	0.60@1300nm
LD-UVS/G-050/030	UVSi 5.0	0.20-1.0	50M	1000typ	<3.0x10^-14	0.50@900nm
LD-UVS/G-050/030	Ge 3.0	1.0-1.8	40K	4000typ	<1.0x10^-12	0.60@1500nm
LD-UVS/G-100	UVSi 10	0.20-1.0	50M min,100M typ	1000typ	<3.0x10^-14	0.50@900nm
LD-UVS/G-100	Ge 10*10	1.0-1.8	2k min,4k typ	40000typ	<6.0x10^-12	0.60@1500nm
LD-S/PBS-100	UVSi 10	0.3-1.0	200M	1500	<1.5x10^-14	0.55@900nm
LD-S/PBS-100	PBS 10*10	1.0-2.8	0.2-1.0M	N/A	<1.5x10^-11@2600nm	20000V/W@2600nm
LD-UVS/PBS-050	UVSi 5	0.2-1.0	50M	1000	<3.0x10^-14	0.55@800nm
LD-UVS/PBS-050	PBS 5*5	1.0-2.8	0.2-1.0M	N/A	<1.5x10^-11@2600nm	20000V/W@2600nm

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